[发明专利]在具有喷头的等离子体增强化学汽相沉积系统中通过背面扩散实现气体混合的方法

摘要

本发明的实施方式大体涉及在沉积室中于基板上形成微晶硅层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将工艺气体流入到沉积室的背板和喷头之间的扩散区域中，将工艺气体流动通过喷头中的多个孔并流入到沉积室的喷头和基板支件之间的工艺空间中，点燃工艺空间中的等离子体，使等离子体中形成的气体离子回流通过喷头中的多个孔并流入到扩散区域中，在扩散区域中混合气体离子和工艺气体，使气体离子和工艺气体回流通过喷头中的多个孔并流入到工艺空间中，和在基板上沉积微晶硅层。

主权项

一种在沉积室中于基板上形成微晶硅层的方法，包括：使工艺气体流动到限定在背板和喷头之间的扩散区域中；使工艺气体从所述扩散区域流动至限定在所述喷头和基板支件之间的工艺空间中，其中所述工艺气体流过所述喷头中形成的多个孔并流入到所述工艺空间；和在设置于所述基板支件上的基板上沉积硅层，包括：在所述工艺空间中形成等离子体；和循环工艺气体流，其中所述循环气体流包括：使所述工艺气体流动一段第一时间，其中所述工艺气体在所述工艺空间内形成等离子体时流动所述第一时间；和停止所述工艺气体流动一段第二时间。