[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201010286279.6 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102024410A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 小山润;梅崎敦司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及电子设备。可以使被输入到电平转移的信号的振幅电压增大并由电平转移电路输出。具体而言，可以使被输入到电平转移的信号的振幅电压升高并输出。由此，可以使电路(移位寄存电路、解码器电路等)的振幅电压减小，该电路输出被输入到电平转移的信号。由此，可以使该电路的功耗减小。或者，可以使对构成该电路的晶体管施加的电压减小。由此，可以抑制该晶体管的劣化或损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第五晶体管；以及第六晶体管，其中，所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线，所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线，所述第二晶体管的第一端子电连接于第三布线，所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第二布线，所述第三晶体管的第一端子电连接于所述第一布线，所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极，所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线，所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的所述栅极，所述第四晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的栅极，所述第五晶体管的第一端子电连接于第五布线，所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，并且，所述第六晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第六晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，所述第六晶体管的栅极电连接于所述第四布线。
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