[发明专利]一种反射带位置动态可调的选择性滤光片无效

专利信息
申请号: 201010284485.3 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN102004331A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 胡古今;张婷;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G02F1/05 分类号: G02F1/05
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种反射带位置动态可调的选择性滤光片,该元件依次由FTO玻璃衬底,致密铁电膜层,铁电氧化物介质反射膜堆,致密铁电膜层,透明导电氧化物膜层上电极组成。其特征表现在:I.衬底为F掺杂SnO2涂布的玻璃(简称FTO玻璃);II.铁电氧化物介质反射膜由折射率不同的锆钛酸铅(PZT)材料在空间交替排列而成;III.两个致密铁电膜层指组分与反射膜材料组分一致的PZT薄膜;IV.氧化物膜层上电极是透明导电的ZnO:Al薄膜。本发明的优势在于:利用PZT材料的电光效应,通过外加直流电场改变PZT薄膜的折射率,使铁电氧化物介质反射膜堆的反射带的中心波长发生移动,进而方便地动态调控滤光片的中心工作频率。该类滤光片在众多技术领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 反射 位置 动态 可调 选择性 滤光
【主权项】:
一种反射带位置动态可调的选择性滤光片,在衬底(1)上依次置有第一致密铁电膜层(2),铁电氧化物介质反射膜堆(3),第二致密铁电膜层(4)和透明导电氧化物膜层上电极(5),其特征在于:所述的衬底(1)是透明导电氧化物F掺杂SnO2涂布的玻璃;所述的第一致密铁电膜层(2)和第二致密铁电膜层(4)是厚度为100~200nm的锆钛酸铅薄膜;所述的铁电氧化物介质反射膜堆(3)为锆钛酸铅反射膜系,反射膜系由8~16个周期的致密锆钛酸铅和多孔锆钛酸铅膜层交替排列组成,其膜系结构为:第一致密铁电膜层(2)/(HL)n/第二致密铁电膜层(4)其中:H是厚度为40‑100nm的多孔锆钛酸铅薄膜,L是厚度为40‑100nm的致密锆钛酸铅薄膜,n为周期数,取值范围8‑16;所述的透明导电氧化物膜层上电极(5)是厚度为200~400nm的透明导电ZnO:Al薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010284485.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种紫外探测转换器及其制备和使用方法-201510435015.5
  • 赵华;张景文 - 哈尔滨工业大学
  • 2015-07-23 - 2017-07-25 - G02F1/05
  • 一种紫外探测转换器及其制备和使用方法,本发明涉及紫外探测与成像的方法。本发明是要解决现有的紫外探测器的读出电路技术难度大,成本高的问题。紫外探测转换器是用透明的弛豫铁电陶瓷材料切割而成的光学等腰三棱镜,等腰三角形的顶角为150~165°。制法将弛豫铁电陶瓷块体材料切割成等腰三棱镜,再经研磨与抛光,得到紫外探测转换器。从紫外透镜阵列射出的紫外光照射到紫外探测转换器的底面上,同时红外光光源发出的近红外平行光以小于全内反射角的入射角度入射到紫外探测转换器的底面上,由硅探测器阵列接收。近红外光分布情况与紫外透镜阵列射出的紫外光空间分布情况完全一致,无需开发读出电路或作阵列加工。
  • 包括形成在铁电衬底中的光波导的光调制器-201510964380.5
  • 土居正治;吉田宽彦;久保田嘉伸;川岛由匡 - 富士通光器件株式会社
  • 2015-12-21 - 2016-08-10 - G02F1/05
  • 包括形成在铁电衬底中的光波导的光调制器。一种光调制器包括:铁电衬底,在该铁电衬底中形成了输入光波导、第一光波导和第二光波导以及输出光波导;第一电极,其形成在第一光波导附近并被施加第一DC电压;第二电极,其形成在第二光波导附近并被施加第二DC电压;第三电极,其电连接至第一电极并形成在第二电极两侧;以及第四电极,其电连接至第二电极并形成在第一电极两侧。第一电极与第四电极之间的第一间隙和第二电极与第三电极之间的第二间隙大致相同。第三电极与第四电极之间的间隙是第一间隙的1至5倍。
  • 光控装置和包含该光控装置的灯具-201410708538.8
  • 蔡登科;陈勤;李健;王志勇;周惠升 - 通用电气照明解决方案有限公司
  • 2014-11-28 - 2016-06-22 - G02F1/05
  • 本发明涉及光控装置和包含该光控装置的灯具。其中的光控装置,包括一个光学元件,该光学元件至少部分由一种透明或半透明的弛豫铁电聚偏氟乙烯基聚合物制成,该聚偏氟乙烯基聚合物在某种刺激下,如电场的改变,折射率会发生变化。可选地,该光学元件还包括一种折射率不随上述刺激发生变化的第二种材料。根据不同的光控需要,聚偏氟乙烯基聚合物和第二种材料可形成不同的结构,如主客体结构、多层结构。该光控装置可应用在灯具中,用于调节光束的光学输出特性。
  • 一种反射带位置动态可调的选择性滤光片-201010284485.3
  • 胡古今;张婷;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2010-09-17 - 2011-04-06 - G02F1/05
  • 本发明公开了一种反射带位置动态可调的选择性滤光片,该元件依次由FTO玻璃衬底,致密铁电膜层,铁电氧化物介质反射膜堆,致密铁电膜层,透明导电氧化物膜层上电极组成。其特征表现在:I.衬底为F掺杂SnO2涂布的玻璃(简称FTO玻璃);II.铁电氧化物介质反射膜由折射率不同的锆钛酸铅(PZT)材料在空间交替排列而成;III.两个致密铁电膜层指组分与反射膜材料组分一致的PZT薄膜;IV.氧化物膜层上电极是透明导电的ZnO:Al薄膜。本发明的优势在于:利用PZT材料的电光效应,通过外加直流电场改变PZT薄膜的折射率,使铁电氧化物介质反射膜堆的反射带的中心波长发生移动,进而方便地动态调控滤光片的中心工作频率。该类滤光片在众多技术领域具有广泛的应用前景。
  • 铁电极板晶畴反转的方法及其应用-200880101300.1
  • 胡烨 - C2C晶芯科技公司
  • 2008-07-31 - 2010-09-01 - G02F1/05
  • 本发明涉及一种控制晶核形成的方法,该方法可在单畴铁电极板(例如掺氧化镁铌酸锂的极板)上实现设计的晶畴反转。该方法包括:利用电晕放电法,对带有指定电极光栅的极板进行第一次极化,形成电极光栅下的浅晶畴反转(即晶核形成),紧接着,根据静电法进行第二次晶体极化,以实现均匀的深晶畴反转。本发明的另一个目的在于提供一种生成宽波带光源的方法,该方法采用一种具有周期性晶畴反转结构的非线性晶体。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top