[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010280638.7 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102110471A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 本多泰彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储装置，包括：存储单元晶体管；字线；行译码器；位线；读出放大器；第一位线钳位用晶体管，其串联连接在所述位线与所述读出放大器之间；第二位线钳位用晶体管，其与所述第一位线钳位用晶体管并联连接，电流驱动能力比所述第一位线钳位用晶体管高；以及位线控制电路，其在从所述位线的充电开始起预定的期间，以共同的栅电压使所述第一及第二位线钳位用晶体管导通，在经过了所述预定的期间后，仅使所述第二位线钳位用晶体管截止。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，包括：能够进行数据的电重写的存储单元晶体管；与所述存储单元晶体管的栅连接的字线；向所述字线施加读出电压的行译码器；与所述存储单元晶体管的漏连接的位线；读出放大器，其经由所述位线判定所述存储单元晶体管的数据；第一位线钳位用晶体管，其串联连接在所述位线与所述读出放大器之间；第二位线钳位用晶体管，其与所述第一位线钳位用晶体管并联连接，电流驱动能力比所述第一位线钳位用晶体管的电流驱动能力高；以及位线控制电路，其在从所述位线的充电开始起预定的期间，以共同的栅电压使所述第一及第二位线钳位用晶体管导通，在经过了所述预定的期间后，仅使所述第二位线钳位用晶体管截止。
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