[发明专利]制作半导体器件结构的方法有效
| 申请号： | 201010275091.1 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386134A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件结构的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的前端器件层结构，第一区域和第二区域之间的区域为栅极间隔区；在前端器件层结构的表面形成第一应力层；通过刻蚀去除第一应力层位于第二区域和栅极间隔区的表面的部分；在栅极间隔区、第二区域和第一区域的表面形成第二应力层；去除第二应力层位于第二区域和栅极间隔区表面的部分，获得半导体器件结构；其中，第一应力层的厚度为总应力层的厚度的50％至70％，第二应力层的厚度为总应力层的厚度的50％至30％，总应力层的厚度为第一应力层和第二应力层的厚度之和。采用本发明的方法可以制备出电学性能较高的CMOS器件结构，有效地提高了制备半导体器件结构的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的前端器件层结构，所述第一区域和所述第二区域之间的区域为栅极间隔区；在所述前端器件层结构的表面形成第一应力层；通过刻蚀去除所述第一应力层位于所述第二区域和所述栅极间隔区的表面的部分；在所述栅极间隔区、所述第二区域和第一区域的表面形成第二应力层；去除所述第二应力层位于所述第二区域和所述栅极间隔区表面的部分，获得所述半导体器件结构；其中，所述第一应力层的厚度为所述半导体器件结构的表面的总应力层的厚度的50％至70％，所述第二应力层的厚度为所述总应力层的厚度的50％至30％，所述总应力层的厚度为所述第一应力层和所述第二应力层的厚度之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
