[发明专利]用于形成小间距图案的方法

摘要

本发明提供一种用于形成小间距图案的方法，包括：提供前端器件结构，其包括下层结构、第一超低介电常数材料层和光致抗蚀剂层；以光致抗蚀剂层作为掩膜，蚀刻第一超低介电常数材料层；进行等离子体灰化处理，以去除光致抗蚀剂层，并同时使等离子体与第一超低介电常数材料层的开口图案的内侧发生反应；形成第二超低介电常数材料层；平坦化第二超低介电常数材料层；以及进行湿法清洗，以去除第一超低介电常数材料层中与等离子体发生反应的部分。该方法能够克服现有技术中由于使用PR掩膜或高度不一致的硬掩膜而存在的问题，且通过一次光刻和一至两次蚀刻工艺就能够形成间距小于或等于32nm的图案，从而能够大大缩短生产周期并降低制造成本。

主权项

一种用于形成小间距图案的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括下层结构以及依次形成在所述下层结构上的第一超低介电常数材料层和具有开口图案的光致抗蚀剂层；以所述光致抗蚀剂层作为掩膜，蚀刻所述第一超低介电常数材料层，直至露出所述下层结构的表面，并将所述开口图案转移至所述第一超低介电常数材料层；对所述光致抗蚀剂层进行等离子体灰化处理，以去除所述光致抗蚀剂层，并同时使所述等离子体与所述第一超低介电常数材料层的开口图案的内侧发生反应；在所述第一超低介电常数材料层上以及所述开口图案中形成第二超低介电常数材料层；平坦化所述第二超低介电常数材料层，以露出所述第一超低介电常数材料层的表面，并保留所述第二超低介电常数材料层的位于所述开口图案中的部分，且使所述部分的表面与所露出的所述第一超低介电常数材料层的表面齐平；以及进行湿法清洗，以去除所述第一超低介电常数材料层中与所述等离子体发生反应的部分，从而在所述第一超低介电常数材料层与所述第二超低介电常数材料层之间形成所述小间距图案。