[发明专利]一种制作相变存储器元件的方法

摘要

本发明提供了一种制作相变存储器元件的方法，包括：提供包括底部电极和在其上与其对准的相变材料层的前端器件结构；在前端器件结构上依次形成刻蚀停止层、绝缘层和具有开口的光刻胶层，刻蚀停止层为单层结构或双层结构，单层结构由第一刻蚀停止层构成，双层结构由第一刻蚀停止层和形成在其表面的第二刻蚀停止层构成，第一刻蚀停止层为绝缘的碳基材料；以光刻胶层为掩膜对绝缘层或者绝缘层和第二刻蚀停止层进行刻蚀，并停止在第一刻蚀停止层的表面，去除光刻胶层；灰化去除暴露的第一刻蚀停止层，以露出相变材料层；在暴露的相变材料层上形成顶部电极，以获得相变存储器元件。发明方法能够有效解决顶部电极形成工艺中相变材料层的损失的问题。

主权项

一种制作相变存储器元件的方法，包括：a)提供前端器件结构，所述前端器件结构包括底部电极和相变材料层，其中所述相变材料层位于所述底部电极上与所述底部电极对准的位置；b)在所述前端器件结构上依次形成刻蚀停止层、绝缘层和具有开口的光刻胶层，所述刻蚀停止层为单层结构或双层结构，所述单层结构由第一刻蚀停止层构成，所述双层结构由所述第一刻蚀停止层和形成在所述第一刻蚀停止层表面的第二刻蚀停止层构成，所述第一刻蚀停止层由绝缘的碳基材料构成，其中所述开口位于所述相变材料层的正上方；c)当所述刻蚀停止层为单层结构，以所述具有开口的光刻胶层为掩膜，对所述绝缘层进行刻蚀，并停止在所述第一刻蚀停止层的表面，当所述刻蚀停止层为双层结构，以所述具有开口的光刻胶层为掩膜，分别对所述绝缘层和所述第二刻蚀停止层进行刻蚀，并停止在所述第一刻蚀停止层的表面，去除所述具有开口的光刻胶层；d)灰化去除暴露的第一刻蚀停止层，以露出所述相变材料层；以及e)在暴露的所述相变材料层上形成顶部电极，以获得所述相变存储器元件。