[发明专利]半导体检测装置用接触式探针有效
| 申请号： | 201010273558.9 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102023241A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 伊藤弘高;山本兼司 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供一种半导体检测装置用接触式探针，其是在探针与焊料接触时，防止作为焊料主要成分的锡粘着在探针的接触部，而将抗锡粘着性优异的非晶碳系导电性皮膜形成于基材表面而成的半导体检测装置用接触式探针。一种在导电性基材表面形成非晶碳系导电性皮膜而成的半导体检测装置用接触式探针，其特征在于，所述非晶碳系导电性皮膜具有如下外表面：在原子力显微镜下4μm2的扫描范围中，表面粗糙度(Ra)为6.0nm以下，均方根斜率(RΔq)为0.28以下，表面形态的凸部的前端曲率半径的平均值(R)为180nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 装置 接触 探针 | ||
【主权项】：
一种半导体检测装置用接触式探针，是在导电性基材表面上形成非晶碳系导电性皮膜而成的半导体检测装置用接触式探针，其特征在于，所述非晶碳系导电性皮膜具有如下的外表面：在原子力显微镜下4μm2的扫描范围中，表面粗糙度Ra为6.0nm以下，均方根斜率RΔq为0.28以下，表面形态的凸部的前端曲率半径的平均值R为180nm以上。
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