[发明专利]氮化硅材料及其制备方法和氮化硅发热器件及其制备方法有效
申请号: | 201010271873.8 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN101913879A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 梁田;张伟儒;彭珍珍;刘文彬 | 申请(专利权)人: | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;H05B3/14 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 100018 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化硅材料及其制备方法和氮化硅材料发热器件及其制备方法,所述氮化硅材料由以下重量百分比的各原料组成:氮化硅粉78%~98%、三氧化二铝0.2%~9%、三氧化二钇0.2%~9%和碳化钨0.05%~5%;所述氮化硅材料制备方法为按上述配备称取各原料,置入容器中,球磨搅拌;将球磨好的料浆过后置入烘箱,干燥得到粉料后,冷等静压造粒,即得;所述氮化硅发热器件包括电阻发热体和基体,所述电阻发热体排列在基体表面或内部,所述基体为氮化硅材料基体。所述发热器件的制备方法为将氮化硅材料和电阻发热体按预制的形状和位置置入,压制成生坯;再将其放入炉内气氛压力烧结,即得发热器件。 | ||
搜索关键词: | 氮化 材料 及其 制备 方法 发热 器件 | ||
【主权项】:
一种氮化硅材料,其特征在于,所述氮化硅材料由以下重量百分比的各原料组成:氮化硅粉78%~98%、三氧化二铝0.2%~9%、三氧化二钇0.2%~9%和碳化钨0.05%~5%。
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