[发明专利]有效抑制自掺杂效应的外延生长方法

摘要

本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出半导体衬底表面被解吸附的掺杂原子，接着在高温和低气体流量条件下，在已抽出掺杂原子的所述半导体衬底表面生长第一本征外延层；然后在低温和高气体流量条件下，在已生长有本征外延层的结构表面继续生长所需厚度的第二外延层，最后冷却载出硅片。该方法能够抑制半导体衬底外延生长过程中的自掺杂效应，从而确保周边电路区器件的性能，以增加器件的可靠性。

主权项

一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其特征在于，包含如下步骤：1).制备含有重掺杂埋层区域的半导体衬底，并去除所述半导体衬底表面的氧化物；2).清洗待使用的反应腔室，以清除附着在反应腔室内壁的杂质；3).将所述半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，并在真空条件下对所述半导体衬底进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出所述半导体衬底表面被解吸附的掺杂原子；4).在高温和低气体流量条件下，在已抽出掺杂原子的所述半导体衬底表面生长第一本征外延层；5).在低温和高气体流量条件下，在已生长有第一本征外延层的结构表面继续生长所需厚度的第二外延层。