[发明专利]一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010269008.X | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101973513A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 祖小涛;李志杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，属于无机化学材料技术领域。该方法将经水热晶化发制备的半导体无机氧化物纳米颗粒分散到氧化硅溶胶中，再采用旋涂法或提拉法镀膜得到氧化硅基半导体纳米薄膜。该方法操作简单、成本低廉，适合于大规模生产；所制备的氧化硅基半导体纳米薄膜由于半导体纳米颗粒分散在氧化硅薄膜中，其表面被氧化硅保护，具有优良的稳定性，可用于制作气体传感器、光催化剂、光电材料和紫外线屏蔽薄膜等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 半导体 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用水热晶化法制备半导体无机氧化物纳米颗粒；步骤2：制备氧化硅溶胶；步骤3：将步骤1所得半导体无机氧化物纳米颗粒均匀分散到步骤2所得的氧化硅溶胶中，得到氧化硅和半导体纳米颗粒的复合溶胶；所述半导体无机氧化物纳米颗粒的加入量以质量百分比记，为半导体无机氧化物纳米颗粒与氧化硅溶胶中氧化硅质量之和的1％～75％；步骤4：采用旋涂法或者提拉法镀膜工艺，在衬底基片上制备步骤3所得复合溶胶的薄膜；步骤5：后处理；将步骤4所得的复合溶胶薄膜在60～110℃下烘干，即得氧化硅基半导体纳米薄膜。
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