[发明专利]一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：采用水热晶化法制备半导体无机氧化物纳米颗粒；

步骤2：制备氧化硅溶胶；

步骤3：将步骤1所得半导体无机氧化物纳米颗粒均匀分散到步骤2所得的氧化硅溶胶中，得到氧化硅和半导体纳米颗粒的复合溶胶；所述半导体无机氧化物纳米颗粒的加入量以质量百分比记，为半导体无机氧化物纳米颗粒与氧化硅溶胶中氧化硅质量之和的1％～75％；

步骤4：采用旋涂法或者提拉法镀膜工艺，在衬底基片上制备步骤3所得复合溶胶的薄膜；

步骤5：后处理；将步骤4所得的复合溶胶薄膜在60～110℃下烘干，即得氧化硅基半导体纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中采用水热晶化法所制备的半导体无机氧化物纳米颗粒包括所有具有半导体性质的无机氧化物。

3.根据权利要求1所述的氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2制备氧化硅溶胶时，以硅酸钠或正硅酸乙酯为硅源，将硅源溶于无水乙醇，得到硅源的乙醇溶液；然后将盐酸的乙醇溶液和硅源的乙醇溶液混合、搅拌，直至得到透明的氧化硅溶胶。

4.根据权利要求1所述的氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3制备氧化硅和半导体纳米颗粒的复合溶胶时，采用超声分散加搅拌的方式，将步骤1所得半导体无机氧化物纳米颗粒均匀分散到步骤2所得的氧化硅溶胶中；其中搅拌时间为0.5～5小时。

5.根据权利要求1所述的氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4制备复合溶胶薄膜时，可根据需要进行多层镀膜，以得到需要的薄膜厚度。

6.根据权利要求5所述的氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于，镀制多层膜时，步骤4和步骤5交替进行，不同层数的薄膜采用相同的后处理工艺条件；或在不同气氛、不同温度下进行后处理，以提高薄膜性能。