[发明专利]氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺无效
| 申请号： | 201010259993.6 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101950783A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 何安和;林素慧;彭康伟;郑健森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺，包括以下工艺步骤：提供一衬底；形成过渡层于该衬底上；用光刻胶在过渡层上制备掩模图形；通过蚀刻，将光刻胶掩模的图形转移到过渡层上；清洗衬底，去除残留的光刻胶；形成N型氮化镓、发光区、P型氮化镓于衬底上并且介于各个过渡层之间；去除过渡层并形成导电层在P型氮化镓上；分别在导电层和N型氮化镓上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作LED芯片，可有效提升器件的发光效率，增加单片芯片的芯粒产量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 亮度 发光二极管 芯片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺，其工艺步骤如下：1) 提供一衬底；2) 形成过渡层于该衬底上；3) 用光刻胶在过渡层上制备掩模图形；4) 通过蚀刻，将光刻胶掩模的图形转移到过渡层上；5) 清洗衬底，去除残留的光刻胶；6) 形成N型氮化镓、发光区、P型氮化镓于衬底上并且介于各个过渡层之间；7) 去除过渡层并形成导电层在P型氮化镓上；8) 分别在导电层和N型氮化镓上制作P电极和N电极；9) 衬底经研磨减薄，将其切割成若干个发光二极管芯片。
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