[发明专利]金属刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010253806.3 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102376567A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属刻蚀方法，该方法包括：提供一基底，在基底上沉积金属层后，在金属层表面依次形成第一材料层、第二材料层和光阻胶PR，其中，第一材料层具有绝缘性；对PR进行曝光、显影，形成光刻图案，并按照光刻图案对第二材料层进行刻蚀，然后去除光刻图案；以刻蚀后的第二材料层作为掩膜，对第一材料层进行刻蚀；以刻蚀后的第一材料层和第二材料层作为掩膜，对金属层进行刻蚀，然后依次去除刻蚀后的第二材料层和第一材料层。采用本发明公开的方法能够避免半导体器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种金属刻蚀方法，该方法包括：提供一基底，在基底上沉积金属层后，在金属层表面依次形成第一材料层、第二材料层和光阻胶PR，其中，第一材料层具有绝缘性；对PR进行曝光、显影，形成光刻图案，并按照光刻图案对第二材料层进行刻蚀，然后去除光刻图案；以刻蚀后的第二材料层作为掩膜，对第一材料层进行刻蚀；以刻蚀后的第一材料层和第二材料层作为掩膜，对金属层进行刻蚀，然后依次去除刻蚀后的第二材料层和第一材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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