[发明专利]电子电路的活动性监测有效
| 申请号： | 201010252651.1 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101996125A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 西尔维·维达尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(胡希)公司 |
| 主分类号： | G06F11/30 | 分类号： | G06F11/30;G06F21/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 用于监测数字信号的方法和设备，其中，在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P-通道MOS晶体管置于负偏置温度不稳定性型的退化状态；当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一晶体管的饱和电流的第一数值；以及当该第一数值超过阈值时，切换检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电子电路 活动性 监测 | ||
【主权项】：
一种用于监测数字信号(EN)的方法，其中：在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P‑通道MOS晶体管(P1)置于负偏置温度不稳定性(NBTI)型的退化状态；当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一晶体管(P1)的饱和电流的第一数值(VMES)；以及当该第一数值超过阈值(TH)时，切换检测信号(DET)。
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