[发明专利]电子电路的活动性监测

说明书

技术领域

本发明主要涉及电子电路，且尤其涉及对电路、组件或者电子电路的功能进行的随时间推移的活动性监测。

本发明更具体的应用于检测在黑客攻击企图(hacking attempt)影响下的电路的不当操作。

背景技术

在处理被认为在机密性方面起关键作用的数据的多个电路或组件中，期望提供针对盗取(hack)这些数据的可能的企图的对策。

一种特别的常见攻击是所谓的旁路攻击，其中，当集成电路执行保密数据处理的操作时，对所述集成电路的功耗进行分析(DPA-差分功耗分析)。

一般通过监测执行的关键算法的数量来执行旁路攻击检测。事实上，攻击者在数据和/或密钥上作出大量的假设，而使得当分析电路功耗时，导致多次地执行算法。

因此，常见的技术是在每个新的执行过程中使用递增或递减计数器，以检测何时执行了太多的操作，随后采取适当的措施。将对操作次数的计数存储在集成电路的非易失性存储器区域(EEPROM)中。事实上，电路在处于连续攻击期间，一般会重启，并且数据不会丢失。可有多种类型的对策，但是最常用的一种是禁止集成电路操作。

这种技术的缺点是：它没有考虑时间因素，而时间因素在遭受到攻击的情况下很重要。事实上，同一算法的多次执行预示着攻击可能快要到来，而它的高频率的重复则是更为明确的攻击信号。

发明内容

我们期望有监测集成电路中的指定功能或操作的执行的方案。

我们还期望考虑时间因素，且特别的，我们期望将意味着对电路数据的黑客攻击企图的短时间间隔内的重复操作，与对应于正常的使用的足够的时间间隔内的相同数量的操作进行辨别。

因此，本发明的实施方式的目的是克服现有黑客攻击企图检测技术中的全部或部分缺点。

本发明的实施方式的另一个目的是提供易于实施的小体积的方案。

本发明的实施方式的另一个目的是提供能够对同一电路的不同功能或操作实施的方案。

更一般的，本发明的实施方式旨在根据随时间推移的执行次数来监测集成电路的操作或功能的活动性。

为了实现全部或部分的这些目的以及其他目的，本发明的至少一个实施方式提供了用于监测数字信号的方法，其中：

在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P-通道MOS晶体管置于负偏置温度不稳定性型的退化状态；

当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一晶体管的饱和电流的第一数值；以及

当该第一数值超过阈值时，切换检测信号。

根据本发明的实施方式，所述第一数值是第一支路的中间点的电压，该第一支路包括串联的至少第一晶体管和电阻元件。

根据本发明的实施方式，将所述第一数值与由第二晶体管提供的第二相应数值进行比较，当所述数值之间的差超过阈值时，切换所述检测信号。

根据本发明的实施方式，被监测的信号是指示密码操作状态的信号。

本发明还提供了用于监测数字信号的设备，包括：

在施加电源电压的两个终端之间的：

第一支路，该第一支路包括串联的第一P-通道MOS晶体管、第一开关和第一电阻元件；

第二支路，该第二支路包括串联的第二开关、第二P-通道MOS晶体管、第三开关和第二电阻元件；

第三支路，该第三支路能够给第一和第二支路的P-通道晶体管加偏置；

比较器，该比较器对第一和第二支路的电阻元件两端各自的电压进行比较；以及

元件，当被监测的信号处于第一状态时，该元件能够将所述第一支路的P-通道晶体管的源极和漏极短路。

根据本发明的实施方式，所述第一和第三开关是N-通道MOS晶体管。

根据本发明的实施方式，通过反相器将所述被监测的数字信号应用到第一和第二支路的相应的N-通道晶体管的栅极，且应用到形成所述元件的P-通道晶体管的栅极。

根据本发明的实施方式，第三支路包括：在施加电源电压的所述终端之间串联的第四开关、P-通道MOS晶体管和电流源。

根据本发明的实施方式，所述第二和第四开关是P-通道MOS晶体管。

本发明还提供了电子电路，其包括：

至少一个执行密码功能的子组件；和

至少一个用于监测指示所述功能的状态的信号的设备。

在下面的结合附图的具体实施方式的非限制性的说明中，将详细描述本发明的上述目的、特征和优点。

附图说明

图1是作为例子的电子电路的框图，本发明应用于该类型的电子电路；