[发明专利]电子电路的活动性监测

权利要求书

1.一种用于监测数字信号(EN)的方法，其中：

在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P-通道MOS晶体管(P1)置于负偏置温度不稳定性(NBTI)型的退化状态；

当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一晶体管(P1)的饱和电流的第一数值(V_MES)；以及

当该第一数值超过阈值(TH)时，切换检测信号(DET)。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一数值是第一支路(22)的中间点(26)的电压，该第一支路(22)包括串联的至少第一晶体管(P1)和电阻元件(R1)。

3.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一数值(V_MES)与由第二晶体管(P2)提供的第二相应数值(V_REF)进行比较，当所述数值之间的差超过阈值时，切换所述检测信号(DET)。

4.如权利要求1所述的方法，其中被监测的信号(EN)是指示密码操作状态的信号。

5.一种用于监测数字信号的设备，包括：

在施加电源电压(Vdd)的两个终端(23，24)之间的：

第一支路(21)，该第一支路(21)包括串联的第一P-通道MOS晶体管(P1)、第一开关(N1)和第一电阻元件(R1)；

第二支路(22)，该第二支路(22)包括串联的第二开关(P5)、第二P-通道MOS晶体管(P2)、第三开关(N2)和第二电阻元件(R2)；

第三支路(29)，该第三支路(29)能够给所述第一和第二支路的P-通道晶体管加偏置；

比较器(28)，该比较器(28)对第一和第二支路的电阻元件两端各自的电压进行比较；以及

元件(P4)，当被监测的信号处于第一状态时，该元件(P4)能够将所述第一支路的P-通道晶体管的源极和漏极短路。

6.如权利要求5所述的电路，其中所述第一和第三开关是N-通道MOS晶体管(N1，N2)。

7.如权利要求6所述的电路，其中通过反相器(25)将被监测的数字信号应用到第一支路(21)和第二支路(22)的相应的N-通道晶体管的栅极，且应用到形成所述元件的P-通道晶体管(P4)的栅极。

8.如权利要求5所述的电路，其中第三支路(29)包括：在施加电源电压(Vdd)的所述终端(23，24)之间串联的第四开关(P7)、P-通道MOS晶体管(P3)和电流源(30)。

9.如权利要求8所述的电路，其中所述第二和第四开关是P-通道MOS晶体管(P5，P6)。

10.一种电子电路(1)，包括：

至少一个执行密码功能的子组件(18)；和

至少一个根据权利要求5所述的设备(2)，所述设备用于监测指示所述功能的状态的信号。