[发明专利]带滤光膜的发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010251825.2 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101937959A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;郑如定 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种带滤光膜的发光二极管，氮化镓基发光二极管以正常流程加工出P、N电极，在发光二极管P、N电极区域外，使用电子束蒸镀或离子束溅射镀膜系统生长波通滤光膜层，这层滤光膜对紫外光等短波长光有截止作用，对长波长光有高透射率。由于短波长光会加速老化LED封装材料，因而这种具有长波通滤光膜层结构的LED芯片封装时有效地降低了LED的光衰，保证LED的可靠性、一致性和寿命；同时简化外延的结构设计和缩短外延的研发时间。 | ||
| 搜索关键词： | 滤光 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带滤光膜的发光二极管，其特征在于：该器件依次包括衬底，衬底之上依次是N型氮化镓层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化镓层；透明导电层位于P型氮化镓外延的部分区域上，发光二极管P电极位于透明导电层的部分区域上，并且与P型氮化镓形成欧姆接触；N电极位于所述N型氮化镓外延层的部分区域上；滤光膜位于上述P电极金属及N电极金属以外的区域上。
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