[发明专利]相变非易失性存储器及其加工方法有效
| 申请号： | 201010248140.2 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102376876A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;庞军玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变非易失性存储器的加工方法，包括以下步骤：成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽；在氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；在本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；在p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；在锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；将外延生长出的本征沉积硅层刻蚀去除，使锗化硅层处于氧化硅凹槽中的最上一层；在锗化硅层上沉积出相变材料层。本发明的加工方法，使得在对本征沉积硅进行腐蚀去除的过程中，腐蚀结束本征沉积硅以后不再对锗化硅层进行腐蚀，从而也就避免了对所述锗化硅层下方的p型沉积硅层的过腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 非易失性存储器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种相变非易失性存储器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽，所述氧化硅凹槽垂直贯穿所述氧化硅层；在所述氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；在所述本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；在所述p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；在所述锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；将外延生长出的所述本征沉积硅层刻蚀去除，使所述锗化硅层处于所述氧化硅凹槽中的最上一层；在所述锗化硅层上沉积出相变材料层。
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