[发明专利]一种具有阶梯状缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010246860.5 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101964363A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;张波;王易 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有阶梯状缓冲层结构的MESFET，属于功率半导体器件技术领域。该器件通过刻蚀外延缓冲层，使缓冲层呈现阶梯状，进而使得在缓冲层上外延生长的有源层具有变化的沟道厚度。所述缓冲层厚度最大的部分出现在栅电极正下方，而栅电极两侧下方的缓冲层厚度较小；所述有源层呈倒阶梯状，其中厚度最小的部分出现在栅电极正下方，而栅电极两侧下方的有源层厚度较大。本发明所提出的阶梯缓冲层结构的MESFET，具有良好的直流特性，频率特性和输出功率密度，适用于微波、大功率领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 缓冲 结构 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有阶梯状缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管，包括半绝缘衬底(17)、缓冲层(16)、有源层(15)、源电极下的高掺杂欧姆接触区(14A)、漏电极下的高掺杂欧姆接触区(14B)，以及源电极(11)、漏电极(12)和栅电极(13)；其特征在于，所述缓冲层(16)呈阶梯状，其中缓冲层(16)厚度最大的部分出现在栅电极(13)正下方，而栅电极(13)两侧下方的缓冲层厚度较小；与所述阶梯状缓冲层(16)相对应地，所述有源层(15)呈倒阶梯状，其中有源层(15)厚度最小的部分出现在栅电极(13)正下方，而栅电极(13)两侧下方的有源层(15)厚度较大。
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