[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。

主权项

一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含：形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于该第一鳍状物与该第二鳍状物之间的一浅沟槽隔离区，其中，一间隔是定义于该浅沟槽隔离区的上表面上方的该第一鳍状物与第二鳍状物之间，一第一高度是定义于该浅沟槽隔离区的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间；一沉积步骤，沉积一流动性的介电材料而将其置入该间隔内，该介电材料的上表面是位于该浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在该介电材料的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度，该第二高度是小于该第一高度；以及一外延形成步骤，在该沉积步骤之后，在该第一鳍状物与该第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于该介电材料上方的一第一鳍状物延伸结构与一第二鳍状物延伸结构。