[发明专利]半导体装置以及移位寄存器电路

摘要

提供一种可抑制阈值电压的负方向移位(负移位)的晶体管，防止以移位寄存器为首的半导体装置的误动作。作为对使单位移位寄存器的输出端子OUT上拉的晶体管Q1的栅极节点(节点N1)进行充电的充电电路，使用由在第一电源端子S1和节点N1之间串联地连接的两个晶体管构成的双栅极晶体管Q3D。双栅极晶体管Q3D以如下方式构成，即，在构成此双栅极晶体管的两个晶体管间的连接节点(节点N3)由于该栅极和节点N3之间的电容耦合，根据栅极从H电平变为L电平，下降到L电平。

主权项

一种半导体装置，具有在预定的第一节点和第二节点之间串联地连接并且控制电极相互连接的多个第一晶体管，其特征在于，将上述多个第一晶体管间的各个连接节点作为第三节点，从上述第一～第三节点以及上述控制电极分别成为比上述多个第一晶体管的阈值电压高的H电平的状态，变化为上述第一以及第二节点仍为H电平、上述控制电极的电位成为比上述阈值电压低的L电平时，与此对应地，上述第三节点的电平也下降到L电平，作为使上述第三节点的电平下降的单元，还具有二极管，该二极管连接在上述控制电极和上述第三节点之间，将上述控制电极侧作为阴极，将上述第三节点侧作为阳极。