[发明专利]存储器以及制造存储器的方法有效
| 申请号： | 201010241550.4 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937878A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李冰寒;邵华;孔蔚然;江红;曹立 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器以及制造存储器的方法。该制造存储器的方法包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其中，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。根据本发明的制造存储器的方法，不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器的方法，包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其特征在于，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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