[发明专利]一种双极型晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201010235727.X | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916725A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种双极型晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行第一次离子注入，并进行扩散工艺，在所述基区内形成第一掺杂区；所述制作方法还包括：以所述发射区为掩膜，对所述基区进行第二次离子注入，使得所注入的离子进入集电区，进行扩散工艺，在所述集电区内形成第二掺杂区，所述第二次离子注入的能量范围为100keV至150keV，剂量范围为3e12cm-2至1e13cm-2。本发明提供的制作方法对集电区进行二次离子注入，增加了环形集电结，在保持晶体管的特征频率的前提下，提高了晶体管的集电极-基极反向击穿电压，从而提高了晶体管的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行第一次离子注入，并进行扩散工艺，在所述基区内形成第一掺杂区；其特征在于：所述制作方法还包括：以所述发射区为掩膜，对所述基区进行第二次离子注入，使得所注入的离子进入集电区，在所述集电区内形成第二掺杂区，所述第二次离子注入的能量范围为100KeV至150KeV，剂量范围为3e12cm 2至1e13cm 2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
