[发明专利]一种具有多层超结结构的LDMOS器件无效
| 申请号： | 201010234287.6 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101916780A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多层超结结构的LDMOS器件，该器件的有源区包括：栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、位于栅区之下的体区、位于体区与漏区之间的多层超结结构；所述多层超结结构包括由下至上依次排列的至少两层超结结构，每层超结结构由横向交替排列的n型柱区和p型柱区组成，优选地，上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列。该器件的多层超结结构能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积，同时该结构的制作方法不会带来显著的副作用，这样能够保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高，并且该多层超结结构还具有很好的扩展性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 结构 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种具有多层超结结构的LDMOS器件，包括衬底和位于衬底之上的有源区，其特征在于，所述有源区包括：栅区、位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的多层超结结构；所述多层超结结构包括由下至上依次排列的至少两层超结结构，每层超结结构由横向交替排列的n型柱区和p型柱区组成。
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