[发明专利]具有沟槽底部多晶硅结构的功率半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201010230893.0 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339851A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 涂高维 | 申请（专利权）人： | 科轩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王月玲;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有沟槽底部多晶硅结构的功率半导体及其制造方法，所述功率半导体包括一第一导电型的基材、一沟槽、一重掺杂多晶硅结构、一栅极多晶硅结构与一栅极介电层；其中，沟槽形成于基材内；重掺杂多晶硅结构位于沟槽的一下部份，并且，重掺杂多晶硅结构的至少一侧边直接接触基材；栅极多晶硅结构位于沟槽的一上部份；栅极介电层位于栅极多晶硅结构与重掺杂多晶硅结构之间；重掺杂多晶硅结构的掺杂向外扩散以形成一重掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 底部 多晶 结构 功率 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体，其特征在于，包括：一第一导电型的基材；一沟槽，形成于该基材内；一重掺杂多晶硅结构，位于该沟槽的一下部份，并且，该重掺杂多晶硅结构的至少一侧边是直接接触该基材；一导电结构，位于该沟槽的一上部份；一栅极介电层，位于该导电结构与该重掺杂多晶硅结构之间；以及一第二导电型的本体，位于该基材内；其中，该重掺杂多晶硅结构内的掺杂是至少通过该重掺杂多晶硅结构的该侧边向外扩散以形成一重掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科轩微电子股份有限公司，未经科轩微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010230893.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
