[发明专利]具有沟槽底部多晶硅结构的功率半导体及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体，其特征在于，包括：

一第一导电型的基材；

一沟槽，形成于该基材内；

一重掺杂多晶硅结构，位于该沟槽的一下部份，并且，该重掺杂多晶硅结构的至少一侧边是直接接触该基材；

一导电结构，位于该沟槽的一上部份；

一栅极介电层，位于该导电结构与该重掺杂多晶硅结构之间；以及

一第二导电型的本体，位于该基材内；

其中，该重掺杂多晶硅结构内的掺杂是至少通过该重掺杂多晶硅结构的该侧边向外扩散以形成一重掺杂区。

2.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，更包括一介电层，该介电层位于该沟槽的一底面，该重掺杂多晶硅结构是位于该介电层上方。

3.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，该重掺杂多晶硅结构为该第一导电型。

4.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，该重掺杂多晶硅结构为该第二导电型。

5.如权利要求4所述的功率半导体，其特征在于，该重掺杂区是连接该本体。

6.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，该重掺杂多晶硅结构是由多个重掺杂多晶硅层堆栈而成，并且，该些重掺杂多晶硅层是通过至少一介电层区分隔开来。

7.如权利要求6所述的功率半导体，其特征在于，该重掺杂区是由多个重掺杂子区所构成，各该重掺杂子区分别对应于该些重掺杂多晶硅层，并且，至少部分该些重掺杂子区是互相连接。

8.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，该导电结构是一栅极多晶硅结构。

9.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，该导电结构是电性连接至一源极。

10.一种功率半导体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一导电型的基材；

形成一沟槽于该基材内；

形成一重掺杂多晶硅结构于该沟槽的一下部份内，该重掺杂多晶硅结构的至少一侧边是直接接触该基材；

形成一栅极介电层至少覆盖该重掺杂多晶硅结构的一上表面；

形成一导电结构于该沟槽的一上部份；以及

施以一热扩散制程，使该重掺杂多晶硅结构的掺杂向外扩散以形成一重掺杂区至少环绕该重掺杂多晶硅结构的该侧边。

11.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，在形成该重掺杂多晶硅结构的步骤前，更包括形成一介电层于该沟槽的一底面。

12.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，该热扩散制程同时用以形成一第二导电型的本体。

13.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，该重掺杂多晶硅结构为该第一导电型。

14.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，该重掺杂多晶硅结构为一第二导电型。

15.如权利要求14所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，形成该重掺杂多晶硅结构的步骤包括：

形成一第一重掺杂多晶硅层于该沟槽内；

形成一第一介电层覆盖该第一重掺杂多晶硅层；以及

形成一第二重掺杂多晶硅层于该第一介电层上方。

16.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，该导电结构是一栅极多晶硅结构。

17.如权利要求10所述的功率半导体的制造方法，其特征在于，更包括，沉积一源极金属层电性连接该导电结构。