[发明专利]多晶片堆迭结构无效
| 申请号： | 201010230468.1 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102044522A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄婷婷;陈贤德 | 申请（专利权）人： | 黄婷婷 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的多晶片堆迭结构，包括有一底层，其为具有一线路重配置层的基板；一第一晶片，其至少包括一非导体层及一金属层，该非导体层设有一金属填充通道，该金属层倒置地设置于该底层的线路重配置层上；至少两个堆迭晶片，其依序向上堆迭，各堆迭晶片至少包括：一金属层；一非导体层，其设置有一金属填充通道，该金属填充通道与对应堆迭的堆迭晶片的金属层电性连接，且堆迭在最下面的非导体层的金属填充通道与该第一晶片的非导体层的金属填充通道电性连结。通过此结构，可大幅改善因金属填充层数量的增加而导致散热设计上的复杂度的增加，提高散热效能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 片堆迭 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶片堆迭结构，包括有：一底层，其为具有一线路重配置层的基板；一第一晶片，其至少包括有一非导体层及一金属层，该非导体层设有一金属填充通道，该金属层倒置地设置于该底层的线路重配置层上；至少两个堆迭晶片，其依序向上堆迭，各堆迭晶片至少包括有：一金属层；及一非导体层，其设置有一金属填充通道，该金属填充通道与对应堆迭的堆迭晶片的金属层电性连结，且堆迭在最下面的非导体层的金属填充通道与该第一晶片的非导体层的金属填充通道电性连结。
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