[发明专利]垂直传感器组装方法有效

专利信息
申请号: 201010229843.0 申请日: 2010-07-13
公开(公告)号: CN101958256A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: H·万;R·W·里格尔;M·J·博林格尔 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张晓冬;王忠忠
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种垂直传感器组装方法。本发明提供了一种将芯片垂直地结合到衬底的方法。该方法包括在衬底上形成具有线性外观的金属条,在该金属条上形成焊锡膏层以形成焊锡条,在衬底上形成多个金属焊盘,以及在所述多个金属焊盘上形成焊锡膏层以在衬底上形成多个焊锡焊盘。所述多个焊锡焊盘中的每一个以偏移间距偏离焊锡条的长边缘。要垂直地结合到衬底的芯片具有略小于所述偏移间距的垂直芯片厚度。要垂直地结合的芯片配合在所述多个焊锡焊盘与所述焊锡条之间。焊锡条使得能够实现要垂直地结合的芯片的对准。
搜索关键词: 垂直 传感器 组装 方法
【主权项】:
一种将芯片(300)垂直地结合到衬底(150)的方法,所述方法包括:在所述衬底上形成具有线性外观的金属条(110);在所述金属条上形成焊锡膏层(115)以形成焊锡条(100);在所述衬底上形成多个金属焊盘(114);以及在所述多个金属焊盘上形成焊锡膏层(113)以在所述衬底上形成多个焊锡焊盘(112),所述多个焊锡焊盘中的每一个以偏移间距偏离所述焊锡条的长边缘(105),其中,要垂直地结合到所述衬底的所述芯片具有略小于所述偏移间距(Soffset)的垂直芯片厚度(Tvertical‑chip),其中,要垂直地结合的芯片配合在所述多个焊锡焊盘与所述焊锡条之间,其中,所述焊锡条使得能够实现要垂直地结合的芯片的对准。
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