[发明专利]多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅

摘要

本发明涉及多晶硅的制造方法，其中，对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热，通过对硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体，从而在硅芯棒的表面使多晶硅析出，作为棒而生长。该多晶硅的制造方法具有：前半部分工序，在以高压大量地供给原料气体的条件下，通过调整向硅芯棒的电流而将表面温度维持在规定范围中，并且在棒的中心温度达到多晶硅的熔点以下的规定温度之前，一边将每单位表面积的原料气体供给量维持规定范围内，一边供给原料气体；以及后半部分工序，通过设定为与棒直径对应地预先决定的电流值，并且使每单位表面积的氯硅烷类供给量降低，从而将棒的表面温度和中心温度维持在规定温度。

主权项

一种多晶硅的制造方法，其中，对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热，对该硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体，在硅芯棒的表面使多晶硅析出并作为棒而生长，该多晶硅的制造方法的特征在于，所述反应炉内的压力是0.4MPa以上且0.9MPa以下，该多晶硅的制造方法，具有：前半部分工序，通过向所述硅芯棒的电流的调整而将棒的表面温度维持在规定的范围中，并且在所述棒的中心温度达到不足多晶硅的熔点的规定温度之前，一边将每单位表面积的氯硅烷类供给量维持在2.0×10‑7mol/sec/mm2以上且3.5×10‑7mol/sec/mm2以下的范围内，一边供给原料气体；以及后半部分工序，在所述棒的中心温度达到不足多晶硅的熔点的规定温度之后，设定为对应于棒的直径而预先决定的电流值，并且使所述每单位表面积的原料气体供给量降低，将所述棒的表面温度和中心温度维持在各自的规定范围中。