[发明专利]一种八边形网格状MOSFET功率管版图结构无效
| 申请号： | 201010229114.5 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102339850A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郭阳;马卓;王志鹏;陈吉华;赵振宇;李少青;张民选;刘祥远;唐涛;韩龙 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410073 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 大尺寸MOSFET通常在集成电路中作为功率器件使用，常见的叉指MOSFET功率管版图结构面积效率较低，且存在导通电阻大，寄生电容大，版图设计规则难以满足等缺点。针对这个问题，本发明公开了一种八边形网格状MOSFET功率管版图结构，通过使用八边形多晶硅条组成的网格把有源区分成方格阵列，实现了各个方向上相邻MOSFET的源/漏共用，提高了面积利用率，同时利用相邻八边形斜边组成的区域巧妙的解决了MOSFET中背栅接触的问题。本发明公开的八边形网格状MOSFET功率管的基本单元由有源区、源区接触孔、漏区接触孔、背栅接触孔、多晶硅条和金属绕线组成，而整体MOSFET的版图结构是由多个基本单元拼接实现的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 八边形 网格 mosfet 功率管 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET版图的结构，包括：八边形网格状MOSFET功率管的版图结构由基本单元的重复拼接来实现，基本单元由有源区、多晶硅条、源区接触孔、漏区接触孔、背栅接触孔和金属绕线组成；
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