[发明专利]一种八边形网格状MOSFET功率管版图结构

权利要求书

1.一种功率MOSFET版图的结构，包括：

八边形网格状MOSFET功率管的版图结构由基本单元的重复拼接来实现，基本单元由有源区、多晶硅条、源区接触孔、漏区接触孔、背栅接触孔和金属绕线组成；

2.根据权利要求1所述的基本单元组成，多晶硅条的特征在于：

多晶硅条是一个直边较长，斜边较短的八边形结构，将四个这样的八边形多晶硅条对称拼接且相邻直边重合，其中心形成一个面积较小的正方形区域；

3.根据权利要求1所述的基本单元组成，根据权利要求2所述的多晶硅条结构，有源区的特征在于：

有源区覆盖每个八边形内的区域、权利要求2所述的小正方形内的区域，以及八边形多晶硅条的直边，但不覆盖八边形多晶硅条的斜边；

4.根据权利要求1所述的基本单元组成，根据权利要求2所述的多晶硅条结构，根据权利要求3所述的有源区构成方式，源区接触孔、漏区接触孔的特征在于：

源区接触孔放在四个八边形有源区中的两个对角八边形区域内，漏区接触孔放在另外两个对角区域内；

5.根据权利要求1所述的基本单元组成及MOSFET的版图结构，根据权利要求2所述的多晶硅条结构，根据权利要求3所述的有源区构成方式，根据权利要求4所述的源区接触孔、漏区接触孔的排布方式，金属绕线的特征在于：

金属绕线是由金属线如同“W”的形状构成，金属绕线连接所有的源区接触孔作为MOSFET的源极，金属绕线连接所有漏区接触孔作为MOSFET的漏极；

6.根据权利要求1所述的基本单元组成及MOSFET的版图结构，根据权利要求2所述的多晶硅条结构，根据权利要求3所述的有源区构成方式，根据权利要求4所述的源区接触孔、漏区接触孔的排布方式，根据权利要求5金属绕线的连接方式，背栅接触孔的特征在于：

在连接源区接触孔的金属绕线覆盖的小正方形区域内，放置背栅接触孔；

7.根据权利要求1所述的基本单元组成及MOSFET的版图结构，根据权利要求2所述的多晶硅条结构，根据权利要求3所述的有源区构成方式，根据权利要求4所述的源区接触孔、漏区接触孔的排布方式，根据权利要求5金属绕线的连接方式，根据权利要求6背栅接触孔的排布方式，N+注入和P+注入的特征在于：

在典型的CMOS工艺中，若背栅接触区域内为N+注入，那么背栅接触将作为PMOS管的阱接触，除背栅接触区域以外的其它区域需进行P+注入；相反，若背栅接触区域内为P+注入，那么背栅接触将作为NMOS管的衬底接触，除背栅接触区域以外的其它区域进行N+注入。