[发明专利]相变存储器存储单元的制作方法有效
| 申请号： | 201010228246.6 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102315385A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器存储单元的制作方法：提供一底电极和位于底电极上的相变层，所述底电极和相变层形成于绝缘层中；在相变层和绝缘层的表面沉积三层的叠层刻蚀终止层，其包括依次沉积的第一氮化层、氧化层和第二氮化层；在所述三层的叠层刻蚀终止层表面依次沉积低介电常数材料层和涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义顶电极的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数材料层到三层的叠层刻蚀终止层终止；刻蚀第二氮化层到氧化层终止；刻蚀氧化层到第一氮化层终止；刻蚀第一氮化层，显露出相变层后，对刻蚀位置进行填充形成顶电极。本发明在形成顶电极位置的刻蚀过程中有效减少了相变层的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：提供一底电极和位于底电极上的相变层，所述底电极和相变层形成于绝缘层中；在相变层和绝缘层的表面沉积三层的叠层刻蚀终止层，所述三层的叠层刻蚀终止层包括依次沉积的第一氮化层、氧化层和第二氮化层；在所述三层的叠层刻蚀终止层表面沉积低介电常数材料层；在所述低介电常数材料层涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义顶电极的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数材料层，刻蚀到三层的叠层刻蚀终止层终止；刻蚀第二氮化层到氧化层终止；刻蚀氧化层到第一氮化层终止；刻蚀第一氮化层，显露出相变层后，在相变层的上方，刻蚀三层的叠层刻蚀终止层和低介电常数材料层的位置上填充形成顶电极。
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