[发明专利]相变存储器存储单元的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：

提供一底电极和位于底电极上的相变层，所述底电极和相变层形成于绝缘层中；

在相变层和绝缘层的表面沉积三层的叠层刻蚀终止层，所述三层的叠层刻蚀终止层包括依次沉积的第一氮化层、氧化层和第二氮化层；

在所述三层的叠层刻蚀终止层表面沉积低介电常数材料层；

在所述低介电常数材料层涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义顶电极的位置；

以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数材料层，刻蚀到三层的叠层刻蚀终止层终止；

刻蚀第二氮化层到氧化层终止；

刻蚀氧化层到第一氮化层终止；

刻蚀第一氮化层，显露出相变层后，在相变层的上方，刻蚀三层的叠层刻蚀终止层和低介电常数材料层的位置上填充形成顶电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化层为氮化硅层、氮氧化硅层或者掺氮的碳化硅层NDC，厚度为50～200埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅层，厚度为100～400埃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二氮化层为氮化硅层、氮氧化硅层或者NDC，厚度为200～800埃。