[发明专利]一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器有效
| 申请号： | 201010227339.7 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315255A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;于国强;王文秀;骆军;张晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器，包括：栅极、源极和漏极；被设置用于在所述源极和漏极之间形成导电沟道的半导体层；和位于所述半导体层与所述栅极之间的栅极介质层；其中该栅极介质层包括第一、第二和第三部分，其中所述第一、第三部分在横向上被所述第二部分间隔开，并且所述第一部分和第三部分由铁磁性绝缘材料制成，所述第二部分由非磁性绝缘材料制成，所述第一部分和第三部分的矫顽力不同。以本发明的自旋场效应晶体管作为存储单元的磁性存储器具有数据非易失性、读写快速、存储单元结构简单、低功耗和抗辐射等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 场效应 晶体管 及其 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
一种自旋场效应晶体管，包括：栅极、源极和漏极；被设置用于在所述源极和漏极之间形成导电沟道的半导体层；和位于所述半导体层与所述栅极之间的栅极介质层；其特征在于，该栅极介质层包括第一、第二和第三部分，其中所述第一、第三部分在横向上被所述第二部分间隔开，并且所述第一部分和第三部分由铁磁性绝缘材料制成，所述第二部分由非磁性绝缘材料制成，所述第一部分和第三部分的矫顽力不同。
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