[发明专利]一种具有体接触结构的PD SOI器件有效
| 申请号： | 201010225638.7 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101931008A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈静;伍青青;罗杰馨;肖德元;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有体接触结构的PD SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。该器件的体接触制作在源区与栅极引出的交界处，在有效抑制浮体效应的同时，还具有不会增加芯片面积，消除了传统体接触结构增加芯片面积的缺点，并具有制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 接触 结构 pd soi 器件 | ||
【主权项】：
一种具有体接触结构的PD SOI器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底之上的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层之上的有源区；所述有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及第一硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述第一硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010225638.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路芯片识别元件
- 下一篇：一种标识智能卡通信对象的方法
- 同类专利
- 专利分类
