[发明专利]基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201010223393.4 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101894910A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张丽杰;黄如;潘越 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy)，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分，使其硅含量相对较多，引入更多的缺陷，空位，比如氮空位、氧空位等，从而得到稳定的双极器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 化学 剂量 氮氧硅 双极阻变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双极阻变存储器，包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其特征在于阻变材料层为硅的氮氧化物SiOxNy，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt，或者其它与硅的氮氧化物在小于300℃的温度下，不发生反应的金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu，或者其它与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。
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