[发明专利]高压装置及形成此高压装置的方法有效
申请号: | 201010222750.5 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102117807A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 郑志昌;柳瑞兴;姚智文;沈佳青;黄柏晟;杨富智;蔡俊琳;段孝勤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种高压装置及形成此高压装置的方法,其中该高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。第二掺杂型态的第一井区设置在第一掺杂型态的井区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的井区中。一第一闸极电设置在隔离结构与第二掺杂型态的第一井区之上。第二掺杂型态的一第二井区设置在第一掺杂型态的井区中。第二掺杂型态的第二井区与第二掺杂型态的第一井区之间具有一间隔。一第二闸极电极设置在第二掺杂型态的第一井区与第二掺杂型态的第二井区之间及之上。 | ||
搜索关键词: | 高压 装置 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种高压装置,其特征在于,包含:一第一掺杂型态的一井区,设置在一基材中;一第二掺杂型态的一第一井区,设置在该第一掺杂型态的该井区中;一隔离结构,至少部分地设置在该第一掺杂型态的该井区中;一第一闸极电极,设置在该隔离结构与该第二掺杂型态的该第一井区之上;该第二掺杂型态的一第二井区,设置在该第一掺杂型态的该井区中,其中该第二掺杂型态的该第二井区与该第二掺杂型态的该第一井区之间彼此被间隔开;以及一第二闸极电极,设置在该第二掺杂型态的该第一井区与该第二掺杂型态的该第二井区之间及之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的