[发明专利]高压装置及形成此高压装置的方法

说明书

技术领域

本发明一般是有关于半导体电路的电场，且特别是有关于高压装置及形成此高压装置的方法。

背景技术

持续追求小型化、可携式及廉价的消费性电子装置的需求，已经促使电子制造厂发展并制造以低电源供应电压操作且具有低功率消耗的集成电路(Integrated Circuits；IC)。此些装置中有部分元件或许需要比上述的低电源供应电压更高的电压。例如，液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)的驱动器(Drivers)可使用高压(High Voltage；HV)金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor；MOS)晶体管(Transistors)来驱动LCD像素(Pixels)。

高压金属氧化物半导体结构通常具有一通道区(Channel Region)及一漂移区(Driff Region)。漂移区的间距通常大于通道区的间距。当高压金属氧化物半导体装置的汲极源极导通电阻(Drain-To-Source On Resistance)R_dson需要降低时，可使用小的漂移区间距或较高的汲极电流来降低上述的电阻。然而，小的漂移区间距将牺牲掉高压金属氧化物半导体装置的崩溃电压(Breakdown Voltage)，导致可靠度的问题。

发明内容

本发明的目的是在提供一种高压装置及形成此高压装置的方法，通过增加高压装置汲极与源极间的总接通电流，降低高压装置的汲极源极导通电阻R_dson。

在一实施例中，高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。第二掺杂型态的第一井区设置在第一掺杂型态的井区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的井区中。一第一闸极电极设置在隔离结构与第二掺杂型态的第一井区之上。第二掺杂型态的一第二井区设置在第一掺杂型态的井区中。第二掺杂型态的第二井区与第二掺杂型态的第一井区之间具有一间隔。一第二闸极电极设置在第二掺杂型态的第一井区与第二掺杂型态的第二井区之间及之上。

在第二实施例中，形成高压装置的方法包含形成设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。形成第二掺杂型态的一第一井区于第一掺杂型态的井区中。至少部分地形成一隔离结构于第一掺杂型态的井区中。形成一第一闸极电极于隔离结构与第二掺杂型态的第一井区之上。形成第二掺杂型态的一第二井区于第一掺杂型态的井区中，其中第二掺杂型态的第二井区与第二掺杂型态的第一井区彼此被间隔开。设置一第二闸极电极于第二掺杂型态的第一井区与第二掺杂型态的第二井区之间及之上。

本发明的优点在于，通过增加高压装置汲极与源极间的总接通电流，来降低高压装置的汲极源极导通电阻R_dson，避免可靠度的问题。

本揭露中的实施例及其它实施例，并同其特征在以下的说明与附图中做更详细地叙述。

附图说明

为了能够对本揭露有较佳的理解，请参照上述的详细说明并配合相应的附图。要强调的是，根据工业的标准常规，附图中的各种特征并未依比例绘示且仅用来做为说明之用。事实上，为了讨论的清楚起见，可任意地放大或缩小各种特征的尺寸。相关附图内容说明如下：

图1绘示高压装置的第一例示性实施例的剖面示意图；

图2绘示高压装置的第二例示性实施例的剖面示意图；

图3绘示显示高压装置的例示性实施例中汲极源极电流增加的例示性模拟结果的示意图；

图4A至图4D绘示形成高压装置的方法的例示性实施例的剖面示意图；

图5绘示包含集成电路设置在基板上的一例示性实施例的系统的示意图。

【主要附图标记说明】

100：高压装置                101：基材

103：埋藏井区                105：井区

107：隔离结构                109：井区

110a：井区                   110b：井区

110c：井区                   110d：井区

111：掺杂区                  113a：掺杂区

113b：掺杂区                 113c：掺杂区

113d：掺杂区                 115a：掺杂区

115b：掺杂区                 115c：掺杂区

115d：掺杂区                 120a：闸极电极