[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体组件有效
| 申请号： | 201010219200.8 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102299179A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 林伟捷;陈和泰;林家福;李柏贤 | 申请（专利权）人： | 大中积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体组件。上述横向扩散金属氧化物半导体组件包括一基底、一柵极介电层、一柵极多晶硅层、一源极区、一漏极区、一基体区、一第一漏极接触插塞、一源极多晶硅层、一绝缘层、以及一源极金属层。其中，利用于漏极区上方的柵极介电层上设置源极多晶硅层作为场板，用以提升崩溃电压，并且可以提高漏极与源极间电容。另外，通过本发明的第一漏极接触插塞，可以有效的减少漏极与源极间导通电阻与横向的延伸长度，进而降低功率的耗损且增加组件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 组件 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，包括：一基底，具有一上表面与一下表面；一柵极介电层，设置于该基底的该上表面上；一柵极多晶硅层，设置于该柵极介电层上；一源极区与一漏极区，均具有一第一导电类型，并分别设置于该柵极多晶硅层的相对两侧的该基底中；一基体区，具有一第二导电类型，包覆该源极区并延伸至该柵极多晶硅层下方的该基底中；一第一漏极接触插塞，设置于该漏极区相对于该源极区的一侧的该基底中，且该第一漏极接触插塞与该漏极区相接触；一源极多晶硅层，设置于该漏极区上方的该柵极介电层上一绝缘层，设置于该基底上并覆盖该柵极多晶硅层、该源极多晶硅层以及该柵极介电层；以及一源极金属层，设置于该绝缘层上。
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