[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供前端器件层；在所述前端器件层上形成栅极；进行离子注入以形成共源极和漏极，该共源极位于前端器件层中，且处于相邻的栅极之间；形成间隙壁层；在所述间隙壁层上形成保护层，且使保护层在共源极之上的厚度大于保护层的其他部分的厚度；对所述保护层进行刻蚀；对所述间隙壁层进行刻蚀以形成间隙壁。通过该方法形成的半导体器件，改善了间隙壁刻蚀的关键尺寸的一致性，并降低了间隙壁刻蚀的难度，增大了工艺窗口。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：a)提供前端器件层；b)在所述前端器件层上形成栅极；c)进行离子注入以形成共源极和漏极，所述共源极位于所述前端器件层中，且处于相邻的所述栅极之间；d)在所述步骤c)形成的整个结构上形成间隙壁层；e)在所述间隙壁层上形成保护层，且使所述保护层在所述共源极之上的厚度大于所述保护层的其他部分的厚度；f)对所述保护层进行刻蚀，以在所述刻蚀后，在所述共源极上方保留部分保护层；和g)对所述间隙壁层进行刻蚀以形成间隙壁。