[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010218068.9 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299076A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王艳琴;潘成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
a)提供前端器件层；
b)在所述前端器件层上形成栅极；
c)进行离子注入以形成共源极和漏极，所述共源极位于所述前端器件层中，且处于相邻的所述栅极之间；
d)在所述步骤c)形成的整个结构上形成间隙壁层；
e)在所述间隙壁层上形成保护层，且使所述保护层在所述共源极之上的厚度大于所述保护层的其他部分的厚度；
f)对所述保护层进行刻蚀，以在所述刻蚀后，在所述共源极上方保留部分保护层；和
g)对所述间隙壁层进行刻蚀以形成间隙壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述前端器件层上沉积有第一多晶硅层、多晶硅层间介质体和第二多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度在300-1000埃之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度在400-600埃之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层由硅氧化物组成。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层由硅氮化物组成。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的沉积采用TEOS作为源气体，或者采用SiH4作为源气体。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述间隙壁层之前，在所述栅极的侧壁上还形成有间隙壁绝缘层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述保护层的刻蚀是通过湿刻蚀或干刻蚀进行的。
11.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
12.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
