[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 201010217972.8 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102299099A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供形成有导电结构的基底，所述基底上形成有覆盖导电结构的第一介质层，所述第一介质层内具有贯穿其厚度的第一互连层，所述第一互连层与导电结构电连接；在所述第一介质层和第一互连层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和刻蚀阻挡层至露出第一互连层及部分第一介质层层，形成开口；在所述开口内填充满互连结构，所述互连结构与第一互连层电连接。本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在第一介质层和第二介质层间形成刻蚀阻挡层，作为第一介质层和第二介质层的分界面，在刻蚀互连结构时，及时判断出所述分界面，防止发生对第一介质层过刻蚀的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有导电结构，所述基底上形成有覆盖导电结构的第一介质层，所述第一介质层内具有贯穿其厚度的第一互连层，所述第一互连层与导电结构电连接；在所述第一介质层和第一互连层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和刻蚀阻挡层至露出第一互连层及部分第一介质层层，形成开口；在所述开口内填充满互连结构，所述互连结构与第一互连层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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