[发明专利]通过低温实现选择性的方法有效
| 申请号： | 201010212081.3 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101882572A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种通过低温实现选择性的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区；和采用化学气相淀积CVD在不通入HCl的低温条件下在所述外延区中形成含Ge材料层。在本发明实施例中，通过低温方式外延含Ge材料层，这样在较低的温度下，外延材料在介质层之上的成核几率会大大降低，从而不通入HCl气体就可以实现很好的选择性，避免出现由于通入HCl气体所引起的污染等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 低温 实现 选择性 方法 | ||
【主权项】：
一种通过低温实现选择性的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区；和采用化学气相淀积CVD在不通入HCl气体的低温条件下在所述外延区中形成含Ge材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
