[发明专利]含芴、蒽和噻吩并噻吩单元的有机半导体材料、制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种含芴、蒽和噻吩并噻吩单元的有机半导体材料、制备方法及其应用，有机半导体材料为以下通式的物质：制备方法包括(1)无水无氧、-70℃～-85℃条件下，将2，7-二溴-9，9-二烷基芴、正丁基锂与2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷或双频哪醇合二硼反应得中间产物；(2)无氧条件下，将中间产物与9，10-二溴蒽或其衍生物、噻吩并[3，2-b]噻吩或其衍生物进行Suzuki反应即得最终产物。产品具有良好光热稳定性和成膜性、光电转换效率高。制备方法路线简单、工艺要求低。本发明材料在有机太阳能电池器件、有机场效应晶体管、有机电致发光器件等方面有应用。

主权项

1.一种含芴、蒽和噻吩并噻吩单元的有机半导体材料，其特征在于，为以下通式的物质：其中，n为1～200的自然数；m为1～20的自然数；x、y为正实数，且x+y＝1；R₁、R₂选自H、F、C₁～C₄₀的烷基、芳基或杂芳基；R₃、R₄选自氢、F、C₁～C₄₀的烷基、C₁～C₄₀的烷氧基、C₆～C₄₀的芳基、C₆-C₄₀的芳烷基、C₆-C₄₀的芳基烷氧基。