[发明专利]双垂直沟道晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010202961.2 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102194872A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 任兴华 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双垂直沟道晶体管，包含：音叉型基底；埋入式位线埋入凹槽的底部，其中凹槽位于音叉型基底的两个尖叉部之间；第一源/漏极区位于音叉型基底内并紧邻该埋入式位线；第二源/漏极区位于音叉型基底的尖叉部的顶部；外延层连接音叉型基底的尖叉部，且外延层位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间；前栅极位于音叉型基底的第一侧面上；以及后栅极位于音叉型基底相对于第一侧面的第二侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双垂直沟道晶体管(1)，包含：音叉型基底(10)，其包含两个尖叉部(10a、10b)；埋入式位线(20)，埋入凹槽(10c)的底部，其中该凹槽位于该音叉型基底的该两个尖叉部之间；第一源/漏极区(32)，位于该音叉型基底内并紧邻该埋入式位线；第二源/漏极区(34)，位于该音叉型基底的该两个尖叉部的顶部；外延层(40)，连接该音叉型基底的该两个尖叉部，且该外延层位于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间；前栅极(52)，位于该音叉型基底的第一侧面上；以及后栅极(54)，位于该音叉型基底相对于该第一侧面的第二侧面上。
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