[发明专利]一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法有效
| 申请号： | 201010201550.1 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101882569A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 华建南 | 申请（专利权）人： | 常州银河电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 王淑勤 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法，用混合酸液在常温下浸泡二极管或三极管的引线及框架上的溢料，再经水冲洗即可清除溢料；所述混合酸液是由乙酸、工业硫酸和水组成，其乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为8～12∶8～12∶76～84；所述溢料是指经模压固化工序处理后，残留在二极管或三极管的引线及框架上的环氧树脂塑封料；组成所述混合酸液的乙酸的浓度为97.5～99.5质量％，工业硫酸的浓度为96.0～98.0质量％；所述再经水冲洗是采用加压水冲洗，加压水的压力为0.3～0.5MPa。本发明的操作方法简单、效果佳，且可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 二极管 三极管 引线 框架 方法 | ||
【主权项】：
一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法，其特征在于，用混合酸液在常温下浸泡二极管或三极管的引线及框架上的溢料，再经水冲洗即可清除溢料；所述混合酸液是由乙酸、工业硫酸和水组成，其乙酸：工业硫酸∶水的体积比为8～12∶8～12∶76～84；所述溢料是指经模压固化工序处理后，残留在二极管或三极管的引线及框架上的环氧树脂塑封料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
