[发明专利]一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法有效
申请号: | 201010201550.1 | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN101882569A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 华建南 | 申请(专利权)人: | 常州银河电器有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人: | 王淑勤 |
地址: | 213022 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 二极管 三极管 引线 框架 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法。
背景技术
在电子产业界,二极管或三极管已成为各种电子产品的基本元件,而现有的二极管或三极管经模压固化工序处理后,通常用碱性液并加热去除残留在二极管或三极管的引线及框架上的环氧树脂塑封料膦通常称作溢料),其具体操作是:将经模压固化工序处理后的二极管或三极管放入由磷酸三钠、碳酸氢钠、氢氧化钠和水按照一定比例组成的混合溶液中,加热到80~90℃后浸煮30~45分钟。然而此种方法存在下述缺点:①由于该混合溶液含有Na+离子,而去除该离子难度高,因此,在去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料后,容易造成二极管或三极管电性能衰变;②由于此方法采用碱性液并需要加热,这样在去除溢料期间,会使二极管或三极管的管身上的环氧树脂塑封体的表面颜色改变,影响产品的外观;③由于在二极管或三极管上还可能残留碱性液,无法与随后用酸性溶液进行镀锡的工序相互匹配,镀锡质量及产品的可靠性都会降低。
发明内容
本发明的目的是:提供一种操作方法简单、效果佳,且可靠性高的去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法。
实现本发明目的的技术方案是:一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法,用混合酸液在常温下浸泡二极管或三极管的引线及框架上的溢料,再经水冲洗即可清除溢料;
所述混合酸液是由乙酸、工业硫酸和水组成,其乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为8~12∶8~12∶76~84;
所述溢料是指经模压固化工序处理后,残留在二极管或三极管的引线及框架上的环氧树脂塑封料。
上述方法中,组成所述混合酸液的乙酸的浓度为97.5~99.5质量%,工业硫酸的浓度为96.0~98.0质量%。
上述方法中,所述再经水冲洗是采用加压水冲洗,加压水的压力为0.3~0.5MPa。
上述方法中,所述在常温下浸泡是指浸泡时混合酸液的温度为常温。
上述方法中,所述常温为5~30℃。
上述方法的具体实施步骤如下:
①配制混合酸液
按乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为8~12∶8~12∶76~84准备浓度为97.5~99.5质量%的乙酸、浓度为96.0~98.0质量%的工业硫酸和水,在配制槽内先加入水,然后搅拌下加入乙酸,最后加入工业硫酸,搅拌均匀,备用;
②去除溢料
在容器内放入按步骤①配制的混合酸液,然后放入经模压固化工序处理后的二极管或三极管并使混合酸液浸没二极管或三极管的引线及框架,在混合酸液的温度为5~30℃下浸泡4~6小时后,取出二极管或三极管采用压力为0.3~0.5MPa的加压水冲洗即可清除溢料。
本发明的技术效果是:本发明技术方案采用由乙酸、工业硫酸和水按照一定比例配制成的混合酸液去除模压固化后二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法与现有用碱性液去除溢料的方法比较,由于本发明的混合酸液不含Na+离子,浸泡后二极管或三极管电性能没有衰变;由于采用常温下浸泡,所以二极管或三极管的管身上的环氧树脂塑封体的表面无异色,客户满意度高;由于采用混合酸液与随后的酸性镀锡工艺匹配性强,镀锡前无需清洗,且二极管或三极管的镀锡质量以及可靠性得到提高,效果佳。本发明的操作方法简单,而且成本低。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的详细说明,但不局限于此。
实施例所用原料除另有说明外,均为半导体行业常规使用的原料且均为市售品。
本发明的去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法,具体实施步骤如下:
①配制混合酸液
按乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为8~12∶8~12∶76~84准备浓度为97.5~99.5质量%的乙酸、浓度为96.0~98.0质量%的工业硫酸和水,在配制槽内先加入水,然后搅拌下加入乙酸,最后加入工业硫酸,搅拌均匀,备用;
②去除溢料
在容器内放入按步骤①配制的混合酸液,然后放入经模压固化工序处理后的二极管或三极管并使混合酸液浸没二极管或三极管的引线及框架,在混合酸液的温度为5~30℃下浸泡4~6小时后,取出二极管或三极管采用压力为0.3~0.5MPa的加压水冲洗即可清除溢料。
实施例
①配制混合酸液
按乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为10∶10∶80准备浓度为99.5质量%的乙酸、浓度为98.0质量%的工业硫酸和水,在配制槽内先加入水,然后搅拌下加入乙酸,最后加入工业硫酸,搅拌均匀,备用;
②去除溢料
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造