[发明专利]一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法有效
| 申请号： | 201010201550.1 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101882569A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 华建南 | 申请（专利权）人： | 常州银河电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 王淑勤 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 二极管 三极管 引线 框架 方法 | ||
1.一种去除二极管或三极管的引线及框架上的溢料的方法，其特征在于，用混合酸液在常温下浸泡二极管或三极管的引线及框架上的溢料，再经水冲洗即可清除溢料；
所述混合酸液是由乙酸、工业硫酸和水组成，其乙酸：工业硫酸∶水的体积比为8～12∶8～12∶76～84；
所述溢料是指经模压固化工序处理后，残留在二极管或三极管的引线及框架上的环氧树脂塑封料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，组成所述混合酸液的乙酸的浓度为97.5～99.5质量％，工业硫酸的浓度为96.0～98.0质量％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述再经水冲洗是采用加压水冲洗，加压水的压力为0.3～0.5MPa。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在常温下浸泡是指浸泡时混合酸液的温度为常温。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述常温为5～30℃。
6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的方法，其特征在于，具体实施步骤如下：
①配制混合酸液
按乙酸∶工业硫酸∶水的体积比为8～12∶8～12∶76～84准备浓度为97.5～99.5质量％的乙酸、浓度为96.0～98.0质量％的工业硫酸和水，在配制槽内先加入水，然后搅拌下加入乙酸，最后加入工业硫酸，搅拌均匀，备用；
②去除溢料
在容器内放入按步骤①配制的混合酸液，然后放入经模压固化工序处理后的二极管或三极管并使混合酸液浸没二极管或三极管的引线及框架，在混合酸液的温度为5～30℃下浸泡4～6小时后，取出二极管或三极管采用压力为0.3～0.5MPa的加压水冲洗即可清除溢料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
