[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的目的在于提供由使用高集成性SGT的SRAM所组成的半导体器件。在本发明中，SRAM中所使用的反相器具备：第1岛状半导体层；第1栅极绝缘膜，在第1岛状半导体层的周围上至少接触一部分；第1栅极电极，其第1面接触于第1栅极绝缘膜；第2栅极绝缘膜，接触于第1栅极电极的另一面；第1弧状半导体层，接触于第2栅极绝缘膜；第1导电型的第1高浓度半导体层，配置在第1岛状半导体层的上部；第1导电型的第2高浓度半导体层，配置在第1岛状半导体层的下部；第2导电型的第1高浓度半导体层，配置在第1弧状半导体层的上部；及第2导电型的第2高浓度半导体层，配置在第1弧状半导体层的下部。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备第1反相器、第2反相器、第1选择晶体管及第2选择晶体管，其中，该第1反相器配置在第1行第1列，且具备：第1岛状半导体层；第1栅极绝缘膜，在所述第1岛状半导体层的周围上至少接触一部分；第1栅极电极，其第1面接触于所述第1栅极绝缘膜；第2栅极绝缘膜，其第1面接触于所述第1栅极电极的第2面；第1弧状半导体层，以接触于所述第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成；第1导电型的第1高浓度半导体层，配置在所述第1岛状半导体层的上部；第1导电型的第2高浓度半导体层，配置在所述第1岛状半导体层的下部；第2导电型的第1高浓度半导体层，配置在所述第1弧状半导体层的上部；及第2导电型的第2高浓度半导体层，配置在所述第1弧状半导体层的下部；该第2反相器配置在第2行第2列，且具备：第2岛状半导体层；第3栅极绝缘膜，在所述第2岛状半导体层的周围上至少接触一部分；第2栅极电极，其第1面接触于所述第3栅极绝缘膜；第4栅极绝缘膜，其第1面接触于所述第2栅极电极的第2面；第2弧状半导体层，以接触于所述第4栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成；第1导电型的第3高浓度半导体层，配置在所述第2岛状半导体层的上部；第1导电型的第4高浓度半导体层，配置在所述第2岛状半导体层的下部；第2导电型的第3高浓度半导体层，配置在所述第2弧状半导体层的上部；及第2导电型的第4高浓度半导体层，配置在所述第2弧状半导体层的下部；该第1选择晶体管配置在第1行第2列，且具备：第3岛状半导体层；第5栅极绝缘膜，在所述第3岛状半导体层的周围上至少接触一部分；第3栅极电极，其一部分接触于所述第5栅极绝缘膜；第2导电型的第5高浓度半导体层，配置在所述第3岛状半导体层的上部；及第2导电型的第6高浓度半导体层，配置在所述第3岛状半导体层的下部；该第2选择晶体管配置在第2行第1列，且具备：第4岛状半导体层；第6栅极绝缘膜，在所述第4岛状半导体层的周围上至少接触一部分；第4栅极电极，其一部分接触于所述第6栅极绝缘膜；第2导电型的第7高浓度半导体层，配置在所述第4岛状半导体层的上部；及第2导电型的第8高浓度半导体层，配置在所述第4岛状半导体层的下部。